当前 AI 服务器持续拉动 DRAM、HBM 需求，内存价格本就处在上涨通道，现在上游空白 EUV 掩膜材料出现供给瓶颈，日本龙头豪雅已经告知三星，2027 年空白 EUV 掩膜产能上限固定，没办法额外增加供货，三星推进 1c、1d 先进 DRAM 节点扩产的计划直接被卡住，这会进一步收紧全球先进 DRAM 供给，支撑 DRAM 合约价继续走高。空白 EUV 掩膜相当于 EUV 光刻的原始底片，先进 DRAM 工艺越往微缩方向走，单张晶圆消耗的掩膜数量越多，三星从 1b 工艺升级到 1d 工艺，单片掩膜用量直接从 4-5 片涨到大约 10 片，三星内部测算未来三年掩膜用量每年要涨 25%，今年消耗规模就在 5500 张左右；豪雅虽然规划新加坡新工厂扩产，但新产能要等到 2028 财年才能释放，填补不了 2027 年的缺口，三星只能调整扩产节奏，优先保障 HBM 相关的掩膜配额，普通 DDR 内存的产能释放会延后。
不同 DRAM 工艺 EUV 掩膜消耗对比表
| DRAM 工艺节点 | 预计量产时间 | 单片晶圆 EUV 掩膜消耗量 | 工艺特点 |
|---|---|---|---|
| 1b | 已量产 | 4~5 片 | 成熟先进 DRAM，掩膜消耗较低 |
| 1c | 正在爬坡 | 6~7 片 | 开始切换相移掩膜 PSM，良率管控难度上升 |
| 1d | 2027 下半年 | 约 10 片 | 下一代微缩节点，掩膜用量大幅提升，对空白掩膜需求暴涨 |
EUV 空白掩膜供应链现状
- 核心供应商：豪雅 HOYA 市占 70%~75%，AGC 占 20%~25%，属于双寡头格局
- 三星采购结构：原本 8:2 采购豪雅、AGC，受 AGC 产品品质影响，现在对豪雅依赖度抬升至 90% 以上
- 扩产节奏：豪雅新加坡工厂投资 420 亿日元，产能释放时间 2028 财年
- 认证周期：空白掩膜不是简单扩产就能出货，需要存储厂商长期验证，认证周期很长
掩膜短缺带来的连锁影响
- 三星扩产节奏调整：不再激进拉满全部 DRAM 产能，资源优先倾斜 HBM 高附加值产品
- 全球 DRAM 供给结构性紧缺：先进节点产能释放变慢，服务器 DDR5、HBM 涨价动力更强
- 其他存储厂商同步抢料：SK 海力士、美光同样在采购豪雅空白掩膜，竞争进一步加剧配额
- 成本向上传导：掩膜材料紧缺、配额紧张，掩膜采购单价抬升，最终转嫁到下游内存模组
- 终端压力：服务器厂商、PC 厂商拿到内存的成本更高，备货难度加大
三星可选应对措施清单
- 内部产能优先级调整：把有限掩膜配额优先供给 HBM，放缓普通消费级 DRAM 扩产
- 增加 AGC 认证与采购比例，分散单一供应商风险
- 优化掩膜复用流程、工艺方案，降低单位晶圆掩膜消耗
- 提前锁定 2028 年豪雅新加坡新厂的产能配额
- 放缓 1d 节点大规模量产节奏，拉长工艺爬坡周期
行业短期和长期判断
短期来看，2027 年掩膜缺口很难缓解，DRAM 涨价逻辑得到强化，AI 算力相关的 HBM、服务器内存议价能力最强；长期等到 2028 年豪雅新厂投产，叠加其他供应商产能逐步验证落地，掩膜供给紧张局面才会逐步缓解，存储厂商才有条件放开先进 DRAM 扩产。
【相关 FAQ】
问题 1：DRAM 涨价潮再添压力，EUV 掩膜供给受限导致三星内存扩产受阻，EUV 空白掩膜是什么？
回答 1：DRAM 涨价潮再添压力，EUV 掩膜供给受限导致三星内存扩产受阻，EUV 空白掩膜是光刻掩膜版的原始基材，相当于 EUV 光刻机刻画芯片电路的底片，没有它就没办法制作先进 DRAM 所需要的光刻母版。
问题 2：DRAM 涨价潮再添压力，EUV 掩膜供给受限导致三星内存扩产受阻，为什么三星升级 1d 工艺之后掩膜用量暴涨？
回答 2：DRAM 涨价潮再添压力，EUV 掩膜供给受限导致三星内存扩产受阻，1d 节点电路尺寸更小，光刻分层更多，还要大量使用相移掩膜 PSM，单片晶圆需要大约 10 张 EUV 掩膜，远高于 1b 工艺的 4 到 5 片。
问题 3：DRAM 涨价潮再添压力，EUV 掩膜供给受限导致三星内存扩产受阻，豪雅新工厂什么时候才能缓解缺口？
回答 3：DRAM 涨价潮再添压力，EUV 掩膜供给受限导致三星内存扩产受阻，豪雅新加坡空白 EUV 掩膜工厂产能预计 2028 财年释放，没办法解决 2027 年的供给紧张问题。
问题 4：DRAM 涨价潮再添压力，EUV 掩膜供给受限导致三星内存扩产受阻，掩膜短缺会让 HBM 优先减产吗？
回答 4：DRAM 涨价潮再添压力，EUV 掩膜供给受限导致三星内存扩产受阻，三星会优先保障 HBM 的掩膜配额，普通消费级、服务器 DDR 内存的扩产节奏会优先让步。
【参考资料】
[2026-11-12]（DRAM 涨价潮再添火！EUV 掩膜也卡脖子：三星内存扩产受阻）太平洋科技
[2026-11-12]（消息称豪雅空白 EUV 掩膜产能有限，影响三星电子芯片扩产）全球半导体观察
[2026-11-11]（空白掩膜版供需矛盾凸显：三星需求或年复合增 25%）财联社
[2026-11-10]（Samsung Faces EUV Mask Blank Shortage as Hoya Rejects Supply Increase）THE ELEC
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